申请号/专利号： 200580000371 本发明提供一种成膜方法，利用反复进行下述工序的ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法，在基板上形成Ｃｕ膜：将蒸汽压高，对衬底湿润性好的Ｃｕ羧酸络合物或其衍生物气化，作为原料气体使用，且使用Ｈ↓［２］作为还原气体，使原料气体吸附在基板上的工序；和利用还原气体还原吸附的原料气体，形成Ｃｕ膜的工序。由此可形成保形（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）良好膜质的Ｃｕ薄膜。
| 申请日： | 2005年02月25日 |
| 公开日： | 2006年08月30日 |
| 授权公告日： | |
| 申请人/专利权人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 申请人地址： | 日本东京 |
| 发明设计人： | 小岛康彦;吉井直树 |
| 专利代理机构： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 龙淳 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | C23C16/18;H01L21/285 |
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