申请号/专利号： 01818940 一种铜抛光浆料可以通过将下列物质组合在一起而形成：螯合有机酸缓冲体系，如柠檬酸和柠檬酸钾；研磨剂，如胶体二氧化硅。这种铜抛光浆料在集成电路的制造中很有用，具体地说，在铜和铜扩散阻断层的化学机械抛光中很有用。另一种铜抛光浆料可通过进一步与氧化剂如过氧化氢，和／或腐蚀抑制剂如苯并三唑相组合而形成。按照本发明的浆料的优良性质包括：Ｃｕ的移除速率提高到＞３０００埃每分钟。与现有技术相比，在获得这一较高的抛光速率的同时维持了局部ｐＨ的稳定性，并显著减少了整体和局部腐蚀。局部ｐＨ的稳定能够减少晶片内部的不均一性并减少腐蚀缺陷。而且，铜扩散阻断层，如钽或氮化钽，也可利用不包括氧化剂在内的此类浆料进行抛光。
| 申请日： | 2001年10月29日 |
| 公开日： | 2004年05月05日 |
| 授权公告日： | 2006年05月17日 |
| 申请人/专利权人： | 英特尔公司 |
| 申请人地址： | 美国加利福尼亚州 |
| 发明设计人： | 肯尼思·C·卡迪恩;安妮·E·米勒;艾伦·D·费勒 |
| 专利代理机构： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 |
| 代理人： | 杜娟 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
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