申请号/专利号： 99805102 本发明提供一种腐蚀铜层的方法，该方法能够去除希望的导电互连结构的不需要的膜部分，同时避免结构的过腐蚀和在被腐蚀铜层表面上形成侵蚀表面沾污。深腐蚀所淀积的铜层到含有填充有铜的沟槽和通道的上或“场”表面。可以利用低温区，主要利用铜表面的物理轰击，在衬底表面上进行铜层深腐蚀。或者，在约１５０℃的高温区，利用三种不同的腐蚀剂，进行深腐蚀。腐蚀等离于体可以仅由非反应气体形成，仅由产生氯或氟等反应物质的气体形成，或可由用于调节选择性和腐蚀速率的非反应气体的组合形成。
| 申请日： | 1999年03月01日 |
| 公开日： | 2001年05月30日 |
| 授权公告日： | 2004年01月14日 |
| 申请人/专利权人： | 应用材料有限公司 |
| 申请人地址： | 美国加利福尼亚 |
| 发明设计人： | 叶雁;D·X·马 |
| 专利代理机构： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 代理人： | 段承恩 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | C23F4/00;H01L21/3213 |
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