| 加入桌面 | 无图版
 
行业频道
组织机构 | 工业园区 | 铜业标准 | 政策法规 | 技术资料 | 商务服务 |
高级搜索 标王直达
排名推广
排名推广
发布信息
发布信息
会员中心
会员中心
 
伦敦铜价 | 纽约铜价 | 北京铜价 | 浙江铜价 | 江苏铜价 | 江西铜价 | 山东铜价 | 山西铜价 | 福建铜价 | 安徽铜价 | 四川铜价 | 天津铜价 | 云南铜价 | 重庆铜价 | 其它省市
 
 
当前位置: 首页 » 资讯 » 铜业技术 » 正文

铜沉淀方法

放大字体  缩小字体 发布日期:2009-04-27   作者:佚名
申请号/专利号: 00813451用于把铜可控地沉淀在工件暴露表面,例如半导体表面上的方法和系统。铜的颗粒厚度可选择地沉淀在所述暴露

申请号/专利号: 00813451 用于把可控地沉淀在工件暴露表面,例如半导体表面上的方法和系统。铜的颗粒厚度可选择地沉淀在所述暴露表面上,最好使用无氧液体氨来加强该沉淀。然后在适当的压力和温度下,把所述工件暴露表面浸入到包括铜和液体氨的电镀溶液中,并以可控速率把铜电镀在所述暴露表面上。当沉淀在所述暴露表面上的铜达到选定的总厚度时,停止电镀,除去电镀溶液,并回收气态氨与液体氨以循环再利用。

申请日: 2000年08月08日
公开日: 2002年11月27日
授权公告日: 2004年09月22日
申请人/专利权人: 莱泰克公司
申请人地址: 美国加利福尼亚
发明设计人: 加利·W·弗雷尔
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人: 付建军
专利类型: 发明专利
分类号: H01L21/32;H01L21/44

以上信息仅供参考

 
 
 
 

 

 
 
推荐图文
推荐资讯

 
 
       
购物车(0)    站内信(0)