申请号/专利号： 00811809 在填充在半导体晶片上形成的配线（ＬＳＩ）图案的微细通路或沟道时，用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀液进行电镀，或者用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀用前处理液浸渍之后进行电镀。这样，通过向电镀液中添加铜溶解抑制成分，或者用含铜溶解抑制成分的溶液进行前处理，可以抑制覆盖度差的铜籽晶层的溶解，防止空隙、裂缝等缺陷的发生。
| 申请日： | 2000年05月26日 |
| 公开日： | 2002年09月18日 |
| 授权公告日： | 2005年02月23日 |
| 申请人/专利权人： | 株式会社日矿材料 |
| 申请人地址： | 日本东京都 |
| 发明设计人： | 关口淳之辅;山口俊一郎 |
| 专利代理机构： | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 代理人： | 郭广迅 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | C25D3/38;C25D5/34 |
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