申请号/专利号： 00110288 一种铜膜的制备方法，其特征在于：以晶粒尺寸小于１００ｎｍ的纳米金属Ｃｕ为原材料，纯度高于９９．９９５ｗｔ％，密度为８．９１±０．０３ｇ／ｃｍ↑［３］，在室温冷轧，变形速率：１×１０↑［－５］～１×１０↑［１］／ｓ。本发明制备出的铜膜表面质量好，可以达到很薄的厚度，并且工艺简单，使用普通的轧制设备即可实现。
| 申请日： | 2000年04月05日 |
| 公开日： | 2001年10月10日 |
| 授权公告日： | 2003年07月30日 |
| 申请人/专利权人： | 中国科学院金属研究所 |
| 申请人地址： | 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |
| 发明设计人： | 卢磊;斯晓;陶乃镕;隋曼龄;卢柯 |
| 专利代理机构： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 |
| 代理人： | 张晨 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | B21B1/40;C22F1/08 |
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