申请号/专利号： 200580011949 本发明提供一种黄铜矿型薄膜太阳能电池用光吸收层的制造方法，具备黄铜矿类化合物（Ｃｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ↓［２］）的构成成分在内部均匀分布的膜构造。本发明的光吸收层的制造方法包括：（１）在Ｍｏ电极层上利用溅射法层叠与该电极层邻接的Ｉｎ金属层和Ｃｕ－Ｇａ合金层的前体形成工序；（２）在将形成有前体的基板（１）收纳于气密空间的状态下，向室温～２５０℃的温度范围的该空间内导入硒化氢气体的第一硒化工序；（３）向升温到２５０℃～４５０℃的温度范围的气密空间内追加导入硒化氢气体的第二硒化工序；（４）在残留到第二硒化工序为止导入的硒化氢气体的状态下，将气密空间内升温到４５０℃～６５０℃的温度范围，在该温度范围条件下进行上述基板的热处理的第三硒化工序；（５）将热处理后的基板冷却的冷却工序。
| 申请日： | 2005年04月08日 |
| 公开日： | 2007年04月04日 |
| 授权公告日： | 2009年01月28日 |
| 申请人/专利权人： | 本田技研工业株式会社 |
| 申请人地址： | 日本东京都 |
| 发明设计人： | 久米智之;小丸贵史 |
| 专利代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 代理人： | 李贵亮 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | H01L31/04;H01L21/363 |
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